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            掃描電子顯微鏡SEM

            簡要描述:掃描電子顯微鏡SEM
            蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優異的加工性能。無論是在科研或是工業實驗室,您都可以在一臺設備上實現多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可以根據自己需求的變化隨時升級儀器系統。在加工、成像或是實現三維重構分析時,Crosssbeam系列都將

            • 產品型號:Crossbeam
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-07-10
            • 訪  問  量:1727

            詳細介紹

            品牌其他品牌產地類別國產
            應用領域環保,化工

            掃描電子顯微鏡SEM

            蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優異的加工性能。無論是在科研或是工業實驗室,您都可以在一臺設備上實現多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可以根據自己需求的變化隨時升級儀器系統。在加工、成像或是實現三維重構分析時,Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。

              使用Gemini電子光學系統,您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實樣本信息

              使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式,您可以大限度地提高樣品質量、降低樣品損傷,同時大大加快實驗操作過程

              使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能,您可以制備超薄的TEM樣品,同時將非晶化損傷降到非常低

              使用Crossbeam 340的可變氣壓功能

              或使用Crossbeam 550實現更苛刻的表征,大倉室甚至為您提供更多選擇

              EM樣品制備流程

              按照以下步驟,高效率、高質量地完成制樣

              Crossbeam 為制備超薄、高質量的TEM樣品提供了一整套解決方案,您可以高效地準備樣品,并在TEM或STEM上實現透射成像模式的分析。

             

              1.自動定位——感興趣的區域(ROI)輕松導航

              您可以不費功夫地找到感興趣的區域(ROI)

              使用樣品交換室的導航相機對樣品進行定位

              集成的用戶界面使得您可以輕松定位到ROI

              在SEM上獲得寬視野、無畸變的圖像

             

             

              2. 自動制樣——從體材料開始制備薄片樣品

              您可以通過簡單的三個步驟制備樣品:ASP(自動樣品制備)

              定義參數包括漂移修正,表面沉積以及粗切、精細切割

              FIB鏡筒的離子光學系統保證了工作流程具有的通量

              將參數導出為副本,進而可以重復操作實現批量制備

             

              3. 輕松轉移——樣品切割、轉移機械化

              導入機械手,將薄片樣品焊接在機械手的針尖上

              將薄片樣品與樣品基體連接部分進行切割,使其分離

              薄片隨后會被提取并轉移到TEM柵網上

             

              4. 樣品減薄——獲取高質量TEM樣品至關重要的一步

              儀器在設計上允許用戶實時監控樣品厚度,并最終達到所需求的目標厚度

              您可以同時通過收集兩個探測器的信號判斷薄片厚度,一方面可以通過SE探測器以高重復性獲取最終厚度,另一方面可以通過Inlens SE 探測器控制表面質量

              制備高質量的樣品,并將非晶化損傷降到可以忽略的地步

             蔡司 Crossbeam 340蔡司 Crossbeam 550
            掃描電子束系統Gemini I VP 鏡筒

            Gemini II鏡筒

            可選Tandem decel

            樣品倉尺寸和接口標準樣品倉有18個擴展接口標準樣品倉有18個擴展接口或者加大樣品倉有22個擴展接口
            樣品臺X/Y方向行程均為100mmX/Y方向行程:標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm 
            荷電控制

            荷電中和電子槍

            局域電荷中和器

            可變氣壓

            荷電中和電子槍

            局域電荷中和器

             

            可選選項

            Inlens Duo探測器可依次獲取SE/EsB圖像

            VPSE探測器

            Inlens SE 和 Inlens EsB可同時獲取SE和ESB成像

            大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元

            注意加大樣品倉可同時安裝3支壓縮空氣驅動的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器

            特點由于采用了可變氣壓模式,從而具有更大范圍的樣品兼容性,適用于各類原位實驗,可依次獲取SE/EsB圖像高效的分析和成像,在各種條件下保持高分辨特性,同時獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像


            *SE 二次電子,EsB 能量選擇背散射電子



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