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簡要描述：PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2025-10-20訪 問 量：1173產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子/電池 |
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低成本效益高
PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備Depolab 200將平行板等離子體源設(shè)計與直接載片相結(jié)合。
升級擴展性
根據(jù)其模塊化設(shè)計，PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
SENTECH控制軟件
PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200強大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝處方編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計和直接載片的成本效益設(shè)計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開始，可以逐步升級以完成復(fù)雜的工藝。
PECVD Depolab 200的顯著特點是系統(tǒng)的可靠設(shè)計，軟件和硬件的靈活性。在該設(shè)備上開發(fā)了不同的工藝，例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200包括帶氣路柜的反應(yīng)腔體，電子控制，計算機、前級泵和配電箱。
Depolab 200 等離子增強沉積設(shè)備用于在從室溫到400℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特別適用于沉積用于刻蝕掩膜，電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。
PECVD Depolab 200由SENTECH先進的控制軟件操作，使用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。
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