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超高真空磁控濺鍍設備

簡要描述：超高真空磁控濺鍍設備超高真空環境的特徵為其真空壓力低於10-8至10-12 Torr，且在化學、物理和工程領域十分常見。

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更新時間：2024-07-10

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磁控濺射

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原子層沉積和磁控濺射的區別體視顯微鏡可屈光度調節的方法 X射線顯微鏡的深度探查能力分享透射電鏡的三種成像原理三目正置生物顯微鏡的觀察方法操作步驟奧林巴斯 CKX53 可以數碼拍照倒置顯微鏡

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

超高真空磁控濺鍍設備超高真空環境的特徵為其真空壓力低於10^-8至10^-12Torr，且在化學、物理和工程領域十分常見。超高真空環境對於科學研究非常重要，因實驗通常要求在整個實驗的過程中，表面應保持無污染狀態並可使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用，而不會受到氣相散射的干擾。SYSKEY可以在這樣超高真空環境下使用濺鍍系統以提供高品質的薄膜。

超高真空磁控濺鍍設備針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構，使用陶瓷培林旋轉，並在內部做水冷，來保護機構以確保長時間運轉的穩定。

應用領域	腔體
半導體類。納米科技。產品質量控制和質量檢查。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。太陽能電池。光學研究。材料研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。腔體為使用金屬密封圈並可烘烤至150 ^oC。具有顯示功能的全領域真空計和用於壓力控制的Baratron真空計。腔體的極限真空度約10^-10 Torr。
配置和優點	選件
客製化基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。優異的薄膜均勻度小於±3％。磁控濺鍍源（最多8個源），具有多種可選的靶材尺寸。具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源。射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導電與導電靶材。精準流量控制器（最多4條氣體管線）。基板可加熱到1000°C。基材到靶材之間距為可調節的。每個濺鍍源和基板均安裝遮板。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。結合離子源、熱蒸發源、電子束...。基板可用射頻或直流偏壓。膜厚監測儀。射頻等離子清潔用於基材。 OES、RGA或製程監控的額外備用端口。

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