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            激光橢偏儀

            簡(jiǎn)要描述:激光橢偏儀
            SE 400adv可用于從可選擇的、應(yīng)用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡確保在大多數(shù)平坦反射表面的吸收或透明襯底上進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。多角度測(cè)量的集成支持(40&#176;—90&#176;,5&#176;步進(jìn)),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數(shù)。為了補(bǔ)償激光橢偏測(cè)量中厚度測(cè)量的模糊性,在厚度測(cè)量中也采用了多角度測(cè)量。

            • 產(chǎn)品型號(hào):SE 400adv
            • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
            • 更新時(shí)間:2024-07-10
            • 訪  問  量:1235

            詳細(xì)介紹

            品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
            應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子/電池

            亞埃精度

            穩(wěn)定的氦氖激光器保證了0.1埃精度的超薄單層薄膜厚度測(cè)量。

            擴(kuò)展激光橢偏儀的極限

            性能優(yōu)異的多角度手動(dòng)角度計(jì)和角度精度*的激光橢偏儀允許測(cè)量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數(shù)和膜厚。

            高速測(cè)量

            我們的激光橢偏儀SE 400adv的高速測(cè)量速度使得用戶可以監(jiān)控單層薄膜的生長(zhǎng)和終點(diǎn)檢測(cè),或者做樣品均勻性的自動(dòng)掃描。


            激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應(yīng)用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡確保在大多數(shù)平坦反射表面的吸收或透明襯底上進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。多角度測(cè)量的集成支持(40°—90°,5°步進(jìn)),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數(shù)。為了補(bǔ)償激光橢偏測(cè)量中厚度測(cè)量的模糊性,在厚度測(cè)量中也采用了多角度測(cè)量。

            SENTECH激光橢偏儀SE 400adv,用于超薄單層薄膜的厚度測(cè)量。小型臺(tái)式儀器由橢偏儀光學(xué)部件、角度計(jì)、樣品臺(tái)、自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡、氦氖激光光源和檢測(cè)單元組成。我們的激光橢偏儀SE 400adv的選項(xiàng)支持在微電子、光伏、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示技術(shù)、生命科學(xué)、金屬加工等領(lǐng)域的應(yīng)用。


            Atomic layer deposited Al2O3 on silicon waferMulti-angle measurement for determining thickness of SiO2 / Si3N4 / Si (substrate)Manual goniometer with 5°-stepsSE 400adv with controllerX-y mapping stageLaser ellipsometer with microspot optionLaser ellipsometer SE 401adv for in-situ measurement in plasma process technologyLaser ellipsometer with liquid cell


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