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低真空化學氣相沉積設備

簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。

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廠商性質：經銷商

更新時間：2024-07-10

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沉積系統

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統原子層沉積設備

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探秘化學氣相沉積系統：如何“沉淀”高科技新材料？原子層沉積和磁控濺射的區別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統有更多了解偏光原理及應用奧林巴斯SZ51 體視顯微鏡為什么可屈光度調節全自動熒光掃描光學顯微鏡的基本原理

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

低真空化學氣相沉積設備（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，LPCVD的優勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

低真空化學氣相沉積設備參數

應用領域	腔體
碳納米管和石墨烯的製程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程。熱退火。擴散製程。氧化製程。	加熱爐配置：水平或垂直，結合傳送機構。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達8寸晶圓。單載片或多載片。優異的薄膜均勻度小於±5％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。穩定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。	可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整合在一起。

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低真空化學氣相沉積設備

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