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感應耦合電漿化學氣相沉積設備

簡要描述：感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

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更新時間：2024-07-10

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沉積系統

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統原子層沉積設備

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原子層沉積和磁控濺射的區別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統有更多了解光學顯微鏡的調焦系統聚焦離子束掃描電鏡系統的操作要點及常見問題偏光顯微鏡組成部分關于原子層沉積的優勢及應用領域分享

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環保,化工,電子/電池

ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

應用領域	腔體
奈米碳管與石墨烯製程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程。二維材料。醫療和商業產品的耐磨薄膜。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達 12寸晶圓。腔體壓力：50~10-3 Torr。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。穩定的溫度控制，將載盤加熱至700°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿範圍為50W ~2000W，滿足客戶ICP-CVD製程需求。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。橢圓偏振光譜儀。發射光譜儀。高真空傳送系統。

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