<option id="3g4cf"></option>

原子層沉積系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，也稱為"反應(yīng)物“）。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-07-10
訪問(wèn) 量：924

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類

Product Category

沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設(shè)備

查看全部

相關(guān)文章

探秘化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)：如何“沉淀”高科技新材料？原子層沉積和磁控濺射的區(qū)別看完本篇你就會(huì)對(duì)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)有更多了解偏光原理及應(yīng)用奧林巴斯SZ51 體視顯微鏡為什么可屈光度調(diào)節(jié) 全自動(dòng)熒光掃描光學(xué)顯微鏡的基本原理

詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,電子/電池

原子層沉積系統(tǒng)ALD 用於薄膜沉積的原子層沉積是基於順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，也稱為“反應(yīng)物"）。這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式，一次與一種材料的表面反應(yīng)。通過(guò)多個(gè)ALD循環(huán)，薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導(dǎo)體元件的重要製程，並且是可用於合成納米材料主要工具的一部分。

原子層沉積系統(tǒng)ALD具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如出色的均勻性，在複雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性，低溫處理。因此，ALD被應(yīng)用於微電子，納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中，這些領(lǐng)域經(jīng)常在有機(jī)和生物樣品之類的軟基底。上工作。